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HY62KF16403E-SD70I

更新时间： 2024-02-02 18:26:36

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	85K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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HY62KF16403E-SD70I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LSSOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	长度：	18.517 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.344 mm
最小待机电流：	1.2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY62KF16403E Series

256Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

256K x 16bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Initial Draft

Dec.26.2001

Preliminary

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.00 / Dec.01

Hynix Semiconductor

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