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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 18.415 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 最小待机电流： | 1.2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62KF08802B-SDI | HYNIX |
获取价格 |
1M x 8bit 2.7 ~ 3.6V Super low Power FCMOS Slow SRAM |
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| HY62KF16403E | ETC |
获取价格 |
x16|2.7~3.6V|55/70|Super Low Power Slow SRAM - 4M |
|
| HY62KF16403E-DD55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| HY62KF16403E-SD55I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| HY62KF16403E-SD70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 |
|
| HY62KT08081E | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM |
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| HY62KT08081E-DG10C | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| HY62KT08081E-DG10E | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62KT08081E-DG10I | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HY62KT08081E-DG70C | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM |
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