生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 6.5 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.11 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.75 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 6.2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62EF8100LLM-10I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62EF8100LLM-15I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62EF8100LLST-10 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
HY62EF8100LLST-12 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
HY62EF8100LLST-12I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
HY62EF8100LLST-85I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | |
HY62EF8100SLM-10 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62EF8100SLM-12I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62EF8100SLM-15 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | |
HY62EF8100SLM-15I | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 |