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HY62EF8200SLM-10 PDF预览

HY62EF8200SLM-10

更新时间： 2024-01-30 00:21:20
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 185K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62EF8200SLM-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：100 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：9.25 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6.7 mmBase Number Matches：1

HY62EF8200SLM-10 数据手册

 浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62EF8200SLM-10的Datasheet PDF文件第7页 
HY62UF8200/ HY62QF8200/ HY62EF8200/  
HY62SF8200 Series 256Kx8bit full CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48ball uBGA  
The HY62UF8200 / HY62QF8200 / HY62EF8200  
/ HY62SF8200 is a high speed, super low power  
and 2M bit full CMOS SRAM organized as  
262,144 words by 8bits. The HY62UF8200 /  
HY62QF8200 / HY62EF8200 / HY62SF8200 uses  
high performance full CMOS process technology  
and is designed for high speed and low power  
circuit technology. It is particularly well-suited for  
the high density low power system application.  
This device has a data retention mode that  
guarantees data to remain valid at a minimum  
power supply voltage of 1.5V.  
·
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
SL  
2
2
2
2
2
2
2
2
HY62UF8200  
HY62UF8200-I  
HY62QF8200  
HY62QF8200-I  
HY62EF8200  
HY62EF8200-I  
HY62SF8200  
HY62SF8200-I  
3.0  
3.0  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.8  
1.8  
70/85/100  
70/85/100  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
120/150/200  
120/150/200  
10  
10  
5
5
5
5
5
5
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
A0 A1 CS2 A3 A6 A8  
IO5 A2 /WE A4 A7 IO1  
IO6  
Vss  
Vcc  
IO7  
NC A5  
IO2  
Vcc  
Vss  
IO3  
MEMORY ARRAY  
2048x1024  
A
1
7
I/O8  
NC A17  
/CS1  
CS2  
IO8 /OE /CS1 A16 A15 IO4  
A9 A10 A11 A12 A13 A14  
/WE  
/OE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS1  
Pin Function  
Pin Name  
Pin Function  
Address Input  
Chip Select 1  
Chip Select 2  
Write Enable  
Output Enable  
A0 ~ A17  
CS2  
/WE  
/OE  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
Data Input/Output  
Power(3.0V, 2.5V, 2.0V or 1.8V)  
Ground  
Vss  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.04 /Feb. 99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY62EF8200SLM-10I HYNIX

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