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HY62EF8400ALLM-85I PDF预览

HY62EF8400ALLM-85I

更新时间： 2024-01-15 04:10:09
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 182K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62EF8400ALLM-85I 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：85 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：7.4 mmBase Number Matches：1

HY62EF8400ALLM-85I 数据手册

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HY62UF8400A/ HY62QF8400A/ HY62EF8400A/  
HY62SF8400A Series 512Kx8bit full CMOS SRAM  
PRELIMINARY  
FEATURES  
DESCRIPTION  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48ball uBGA  
The  
HY62UF8400A  
/
HY62QF8400A  
/
HY62EF8400A / HY62SF8400A is a high speed  
and super low power 4Mbit full CMOS SRAM  
organized as 524,288 words by 8 bits. The  
HY62UF8400A / HY62QF8400A / HY62EF8400A  
/ HY62SF8400A uses high performance full  
CMOS process technology and is designed for  
high speed and low power circuit technology. It is  
particularly well-suited for the high density low  
power system application. This device has a data  
retention mode that guarantees data to remain  
valid at a minimum power supply voltage of 1.5V.  
·
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
55/70/85  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
SL  
4
4
4
4
4
4
4
4
HY62UF8400A  
HY62UF8400A-I  
HY62QF8400A  
HY62QF8400A-I  
HY62EF8400A  
HY62EF8400A-I  
HY62SF8400A  
HY62SF8400A-I  
3.0  
3.0  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.8  
1.8  
10  
10  
5
5
5
5
5
5
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
55/70/85  
70/85/100  
70/85/100  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
I/O1  
A0  
A0 A1 CS2 A3 A6 A8  
IO5 A2 /WE A4 A7 IO1  
IO6  
Vss  
Vcc  
IO7  
NC A5  
IO2  
Vcc  
Vss  
IO3  
MEMORY ARRAY  
2048x2048  
A18  
I/O8  
A18 A17  
/CS1  
CS2  
IO8 /OE /CS1 A16 A15 IO4  
A9 A10 A11 A12 A13 A14  
/WE  
/OE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS1  
Pin Function  
Pin Name  
Pin Function  
Address Input  
Chip Select 1  
Chip Select 2  
Write Enable  
Output Enable  
A0 ~ A18  
CS2  
/WE  
/OE  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
Data Input/Output  
Power(3.0V, 2.5V, 2.0V or 1.8V)  
Ground  
Vss  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.02 /Feb. 99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...12

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