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HY62EF8400LLM-15

更新时间： 2024-09-28 21:12:55

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	470K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62EF8400LLM-15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	11.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.11 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62EF8400LLM-15I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400SLM-15	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400SLM-15I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62KF08401C	HYNIX	获取价格	512Kx8bit full CMOS SRAM
HY62KF08401C-DI	HYNIX	获取价格	512Kx8bit full CMOS SRAM
HY62KF08401C-DS	HYNIX	获取价格	512Kx8bit full CMOS SRAM
HY62KF08401C-DS55I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP-32
HY62KF08401C-DS70I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP-32
HY62KF08401C-I	HYNIX	获取价格	512Kx8bit full CMOS SRAM
HY62KF08401C-SI	HYNIX	获取价格	512Kx8bit full CMOS SRAM