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HY62EF8100LLST-10

更新时间： 2024-02-28 02:11:41
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 179K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32

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HY62EF8100LLST-10 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：TSOP1,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：100 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e6长度：11.8 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
宽度：8 mmBase Number Matches：1

HY62EF8100LLST-10 数据手册

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HY62UF8100/ HY62QF8100/ HY62EF8100/  
HY62SF8100 Series 128Kx8bit full CMOS SRAM  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The HY62UF8100 / HY62QF8100 / HY62EF8100  
/ HY62SF8100 is a high speed, super low power  
and 1M bit full CMOS SRAM organized as  
131,072 words by 8bit. The HY62UF8100 /  
HY62QF8100 / HY62EF8100 / HY62SF8100 uses  
high performance full CMOS process technology  
and designed for high speed low power circuit  
technology. It is particularly well suited for used in  
high density low power system application. This  
device has a data retention mode that guarantees  
data to remain valid at a minimum power supply  
voltage of 1.5V.  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
·
-
32pin sTSOP-I  
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
5
SL  
1
HY62UF8100  
HY62UF8100-I  
HY62QF8100  
HY62QF8100-I  
HY62EF8100  
HY62EF8100-I  
HY62SF8100  
HY62SF8100-I  
3.0  
3.0  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.8  
1.8  
70/85/100  
70/85/100  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
120/150/200  
120/150/200  
10  
10  
5
5
5
5
5
5
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
5
1
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION  
BLOCK DIAGRAM  
ROW DECODER  
/OE  
A10  
/CS1  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
Vss  
DQ3  
DQ2  
DQ1  
A0  
A11  
A9  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
I/O1  
1
2
A0  
A8  
3
A13  
/WE  
CS2  
A15  
Vcc  
NC  
A16  
A14  
A12  
A7  
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
MEMORY ARRAY  
1024x1024  
A6  
A1  
A5  
A2  
A4  
A3  
A16  
I/O8  
Small TSOP-I(Standard)  
/CS1  
CS2  
/OE  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
/CS1  
Pin Function  
Pin Name  
Pin Function  
Address Input  
Chip Select 1  
Chip Select 2  
Write Enable  
Output Enable  
A0 ~ A16  
CS2  
/WE  
/OE  
I/O1 ~ I/O8  
Vcc  
Data Input/Output  
Power(3.0V, 2.5V, 2.0V or 1.8V)  
Ground  
Vss  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.05 /Feb.99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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