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HY62EF8200LLM-15

更新时间： 2024-02-15 21:10:30

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	459K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62EF8200LLM-15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	150 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	9.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.11 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.8 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62EF8200SLM-10	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8200SLM-10I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8200SLM-12	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8200SLM-12I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8200SLM-15	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400ALLM-10	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400ALLM-12I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400ALLM-85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400ASLM-10I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62EF8400ASLM-12	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48