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Datasheet > HY62EF16400LLM-120I
HY62EF16400LLM-120I PDF预览

HY62EF16400LLM-120I

更新时间： 2024-02-18 06:06:01
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 195K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 120ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62EF16400LLM-120I 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA,针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：11.4 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：2.2 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：2 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：9.82 mmBase Number Matches：1

HY62EF16400LLM-120I 数据手册

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HY62UF16400/ HY62QF16400/ HY62EF16400/  
HY62SF16400 Series 256Kx16bit full CMOS SRAM  
PRELIMINARY  
FEATURES  
DESCRIPTION  
·
·
·
Fully static operation and Tri-state output  
TTL compatible inputs and outputs  
Battery backup(LL/SL-part)  
- 1.5V(min) data retention  
Standard pin configuration  
- 48ball uBGA  
The  
HY62UF16400  
/
HY62QF16400  
/
HY62EF16400 / HY62SF16400 is a high speed,  
super low power and 4Mbit full CMOS SRAM  
organized as 262,144 words by 16bits. The  
HY62UF16400 / HY62QF16400 / HY62EF16400 /  
HY62SF16400 uses high performance full CMOS  
process technology and is designed for high  
speed and low power circuit technology. It is  
particularly well-suited for the high density low  
power system application. This device has a data  
retention mode that guarantees data to remain  
valid at a minimum power supply voltage of 1.5V.  
·
Product  
No.  
Voltage  
(V)  
Speed  
(ns)  
Operation  
Current(mA)  
Standby Current(uA)  
Temperature  
(°C)  
LL  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
SL  
4
4
4
4
4
4
4
4
HY62UF16400  
HY62UF16400-I  
HY62QF16400  
HY62QF16400-I  
HY62EF16400  
HY62EF16400-I  
HY62SF16400  
HY62SF16400-I  
3.0  
3.0  
2.5  
2.5  
2.0  
2.0  
1.8  
1.8  
70/85/100  
70/85/100  
85/100/120  
85/100/120  
100/120/150  
100/120/150  
120/150/200  
120/150/200  
15  
15  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
0~70(Normal)  
-40~85(E.T.)  
Note 1. E.T. : Extended Temperature, Normal : Normal Temperature  
2. Current value is max.  
PIN CONNECTION ( Top View )  
BLOCK DIAGRAM  
ROW  
DECODER  
A0  
I/O1  
/LB /OE A0 A1 A2 NC  
IO9 /UB A3 A4 /CS IO1  
IO10 IO11 A5 A6 IO2 IO3  
Vss IO12 A17 A7 IO4 Vcc  
Vcc IO13 NC A16 IO5 Vss  
IO15 IO14 A14 A15 IO6 IO7  
IO16 NC A12 A13 /WE IO8  
NC A8 A9 A10 A11 NC  
I/O8  
I/O9  
MEMORY ARRAY  
1024x128x16  
I/O16  
A17  
/CS  
/OE  
/LB  
/UB  
/WE  
PIN DESCRIPTION  
Pin Name  
Pin Funtion  
Pin Name  
Pin Funtion  
/CS  
/WE  
/OE  
/LB  
Chip Select  
Write Enable  
Output Enable  
Low Byte Control(I/O1~I/O8)  
I/O1~I/O16  
A0~A17  
Vcc  
Data Input/Output  
Address Input  
Power(3.0V/2.5V/2.0V/1.8V)  
Ground  
Vss  
/UB  
Upper Byte Control(I/O9~I/O16) NC  
No Connection  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev.04 /Feb. 99  
Hyundai Semiconductor  
1234567...13

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