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HY628400TC-70

更新时间: 2024-11-12 14:33:55
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 196K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32

HY628400TC-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e6
长度:20.95 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY628400TC-70 数据手册

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