5秒后页面跳转
HY62256ALT1-120 PDF预览

HY62256ALT1-120

更新时间: 2024-02-15 17:37:33
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 215K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP1-28

HY62256ALT1-120 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e6长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62256ALT1-120 数据手册

 浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY62256ALT1-120的Datasheet PDF文件第7页 

与HY62256ALT1-120相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY62256ALT1-55 ETC x8 SRAM

获取价格

HY62256ALT1-55I ETC x8 SRAM

获取价格

HY62256ALT1-70 ETC x8 SRAM

获取价格

HY62256ALT1-70I HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

获取价格

HY62256ALT1-85 ETC x8 SRAM

获取价格

HY62256ALT1-85I HYNIX Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

获取价格