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HY62256AR1-85I

更新时间: 2024-01-06 01:22:22
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海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 308K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28

HY62256AR1-85I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-R,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e6长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1-R
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY62256AR1-85I 数据手册

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