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HY62256AT1-55

更新时间: 2024-01-19 17:34:05
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 288K
描述
x8 SRAM

HY62256AT1-55 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP28,.53,22
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HY62256AT1-55 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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