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HY62256AR1-I85

更新时间: 2024-01-29 04:02:31
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 288K
描述
x8 SRAM

HY62256AR1-I85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP28,.53,22Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.001 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.55 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HY62256AR1-I85 数据手册

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