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HY61C68T25

更新时间: 2024-11-11 19:48:55
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海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 394K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, CDIP20

HY61C68T25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T20
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP20,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HY61C68T25 数据手册

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