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HY6216100LT2-70I

更新时间: 2024-01-29 03:42:05
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海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 208K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

HY6216100LT2-70I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e6长度:18.41 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY6216100LT2-70I 数据手册

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