5秒后页面跳转
HY61C16AD45 PDF预览

HY61C16AD45

更新时间: 2024-11-11 15:34:23
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 365K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP24

HY61C16AD45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY61C16AD45 数据手册

 浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY61C16AD45的Datasheet PDF文件第7页 

与HY61C16AD45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY61C16AD70 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24
HY61C16AU35 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24
HY61C16AU45 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP24
HY61C16AU70 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, CDIP24
HY61C16L-45 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY61C16L-55 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY61C16L-70 ETC

获取价格

x8 SRAM
HY61C67 ETC

获取价格

HY61C67K35 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20
HY61C67K45 HYNIX

获取价格

Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CDIP20