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HY61C16AD45

更新时间: 2024-02-26 05:28:38
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海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 365K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP24

HY61C16AD45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:2048 words
字数代码:2000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0001 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY61C16AD45 数据手册

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