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HY61C68F25

更新时间: 2024-01-02 08:06:06
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海力士 - HYNIX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 394K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS

HY61C68F25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCJ, LDCC(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC(UNSPEC)封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子位置:QUADBase Number Matches:1

HY61C68F25 数据手册

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