HY5V66GF

更新时间： 2024-02-23 18:33:58

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海力士 - HYNIX		动态存储器
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11页	205K
描述
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

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HY5V66GF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA, BGA60,7X15,25	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10.1 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,7X15,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

HY5V66GF 数据手册

HY5V66GF

PIN CONFIGURATION

PIN DESCRIPTION

PIN NAME

DESCRIPTION

The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the

rising edge of CLK

CLK

Clock

Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will be one

of the states among power down, suspend or self refresh

CKE

Clock Enable

Chip Select

Enables or disables all inputs except CLK, CKE and DQM

Selects bank to be activated during RAS activity

Selects bank to be read/written during CAS activity

BA0,BA1

A0 ~ A11

Bank Address

Row Address : RA0 ~ RA11, Column Address : CA0 ~ CA7

Auto-precharge flag : A10

Address

Row Address Strobe,

Column Address Strobe,

Write Enable

RAS, CAS and WE define the operation

Refer function truth table for details

RAS, CAS, WE

LDQM, UDQM

DQ0 ~ DQ15

VDD/VSS

Data Input/Output Mask

Data Input/Output

Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode

Multiplexed data input / output pin

Power Supply/Ground

Data Output Power/Ground

No Connection

Power supply for internal circuits and input buffers

Power supply for output buffers

VDDQ/VSSQ

No connection

Rev. 0.4/Nov. 01

123 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66GF-H	HYNIX	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY5V66GF-P	HYNIX	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
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HY5V72DLMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5V72DLMP-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5V72DM-H	HYNIX	DRAM	获取价格