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HY5V66GF

更新时间: 2024-02-14 13:15:49
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海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 205K
描述
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

HY5V66GF 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:VFBGA, BGA60,7X15,25针数:60
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e1
长度:10.1 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装等效代码:BGA60,7X15,25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:BALL
端子节距:0.65 mm端子位置:BOTTOM
宽度:6.4 mmBase Number Matches:1

HY5V66GF 数据手册

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HY5V66GF  
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)  
-H  
-P  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Note  
Min  
7.5  
10  
Max  
Min  
10  
10  
3
Max  
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
tCK3  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
System clock  
cycle time  
1000  
1000  
tCK2  
tCHW  
tCLW  
tAC3  
tAC2  
tOH  
Clock high pulse width  
Clock low pulse width  
2.5  
2.5  
-
-
-
-
1
1
3
CAS Latency = 3  
CAS Latency = 2  
5.4  
6
-
6
6
-
Access time from  
clock  
2
-
Data-out hold time  
Data-Input setup time  
Data-Input hold time  
Address setup time  
Address hold time  
CKE setup time  
2.7  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
3
2
1
2
1
2
1
2
1
1
tDS  
-
-
1
1
1
1
1
1
1
1
tDH  
-
-
tAS  
-
-
tAH  
-
-
tCKS  
tCKH  
tCS  
-
-
CKE hold time  
-
-
Command setup time  
Command hold time  
-
-
tCH  
-
-
CLK to data output in low Z-time  
tOLZ  
tOHZ3  
tOHZ2  
-
-
CAS Latency = 3  
CLK to data output  
in high Z-time  
5.4  
6
CAS Latency = 2  
Note :  
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns  
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate  
Rev. 0.4/Nov. 01  
7

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HY5V72DLMP-H HYNIX Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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HY5V72DLMP-P HYNIX Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90

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