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HY5V66FLFP-7I

更新时间： 2024-02-07 14:39:36

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	149K
描述
Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54

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HY5V66FLFP-7I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.28	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
JESD-609代码：	e1	长度：	8 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

HY5V66FLFP-7I 数据手册

Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)

HY5V66F(L)FP-xx Series

BALL DESCRIPTION

SYMBOL

TYPE

DESCRIPTION

Clock: The system clock input. All other inputs are registered to the SDRAM on the rising

edge of CLK

CLK

INPUT

Clock Enable: Controls internal clock signal and when deactivated, the SDRAM will be one

of the states among (deep) power down, suspend or self refresh

CKE

INPUT

INPUT Chip Select: Enables or disables all inputs except CLK, CKE, UDQM and LDQM

Bank Address: Selects bank to be activated during RAS activity

INPUT

BA0, BA1

Selects bank to be read/written during CAS activity

Row Address: RA0 ~ RA11, Column Address: CA0 ~ CA7

A0 ~ A11

INPUT

Auto-precharge flag: A10

Command Inputs: RAS, CAS and WE define the operation

RAS, CAS, WE INPUT

Refer function truth table for details

UDQM, LDQM INPUT Data Mask: Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode

DQ0 ~ DQ15

VDD / VSS

I/O

Data Input / Output: Multiplexed data input / output pin

SUPPLY Power supply

VDDQ / VSSQ SUPPLY I/O Power supply

No connection : These pads should be left unconnected

Rev. 1.0 / Apr. 2007

1 2 345 6 7...13

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与HY5V66FLFP-7I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66GF	HYNIX	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY5V66GF-H	HYNIX	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY5V66GF-P	HYNIX	4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY5V72DLM-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, FBGA-90	获取价格
HY5V72DLMP-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格
HY5V72DLMP-P	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-90	获取价格

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