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HY5V28CLF-K PDF预览

HY5V28CLF-K

更新时间： 2024-02-29 05:36:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
14页 117K
描述
x8 SDRAM

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HY5V28CLF-K 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：100 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B54
长度：10.5 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA54,9X9,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.07 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：8.3 mm
Base Number Matches：1

HY5V28CLF-K 数据手册

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HY5V28C(L)F  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Ambient Temperature  
TA  
0 ~ 70  
-55 ~ 125  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
50  
°C  
Storage Temperature  
TSTG  
°C  
Voltage on Any Ball relative to VSS  
Voltage on VDD relative to VSS  
Short Circuit Output Current  
Power Dissipation  
VIN, VOUT  
V
VDD, VDDQ  
IOS  
V
mA  
PD  
1
W
Soldering Temperature Time  
TSOLDER  
260 10  
°C Sec  
Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability.  
DC OPERATING CONDITION (TA=0 to 70°C)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Note  
Power Supply Voltage  
Input High voltage  
Input Low voltage  
VDD, VDDQ  
VIH  
3.0  
2.0  
3.3  
3.0  
0
3.6  
VDDQ + 0.3  
0.8  
V
V
V
1
1,2  
1,3  
VIL  
-0.3  
Note :  
1.All voltages are referenced to VSS = 0V  
2.VIH(max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.  
3.VIL(min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.  
AC OPERATING TEST CONDITION (TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Note  
AC Input High / Low Level Voltage  
VIH / VIL  
Vtrip  
2.4/0.4  
1.4  
1
V
V
Input Timing Measurement Reference Level Voltage  
Input Rise / Fall Time  
tR / tF  
Voutref  
CL  
ns  
V
Output Timing Measurement Reference Level Voltage  
Output Load Capacitance for Access Time Measurement  
1.4  
50  
pF  
1
Note :  
1.Output load to measure access times is equivalent to two TTL gates and one capacitor (50pF). For details, refer to AC/DC output  
load circuit  
Rev. 0.1/Sep.01  
6
12345678...14

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