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HY5V28CLF-K

更新时间： 2024-01-07 23:08:56

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其他 - ETC		内存集成电路动态存储器时钟
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14页	117K
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x8 SDRAM

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HY5V28CLF-K 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B54
长度：	10.5 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA54,9X9,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.07 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.3 mm
Base Number Matches：	1

HY5V28CLF-K 数据手册

HY5V28C(L)F

CAPACITANCE (TA=25°C, f=1MHz)

-6/K/H

-8/P/S

Max.

Parameter

Ball

Symbol

Unit

Min.

Max.

Min.

Input Capacitance

CLK

CI1

CI2

2.5

3.5

3.8

2.5

A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE,

CS, RAS, CAS, WE, DQM

Data Input / Output Capacitance

DQ0 ~ DQ7

CI/O

6.5

OUTPUT LOAD CIRCUIT

Vtt=1.4V

RT=250 Ω

Output

50pF

DC Output Load Circuit

AC Output Load Circuit

DC CHARACTERISTICS I ^(TA=0 to 70°C, VDD=3.3±0.3V)

Parameter

Symbol

Min.

Max

Unit

Note

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Output High Voltage

Output Low Voltage

ILI

-1

2.4

ILO

VOH

VOL

IOH = -2mA

IOL =+2mA

0.4

Note :

1.VIN = 0 to 3.6V, All other Balls are not under test = 0V

2.DOUT is disabled, VOUT=0 to 3.6V

Rev. 0.1/Sep.01

1...3 4 567 8 9...14

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与HY5V28CLF-K相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V28CLF-P	ETC	x8 SDRAM	获取价格
HY5V28CLF-S	ETC	x8 SDRAM	获取价格
HY5V52AF-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格
HY5V52AF-H	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB	获取价格
HY5V52AFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE	获取价格
HY5V52AFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	获取价格