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HY5V28CLF-K

更新时间: 2024-02-22 03:04:00
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其他 - ETC 内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
14页 117K
描述
x8 SDRAM

HY5V28CLF-K 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B54
长度:10.5 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.07 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8.3 mm
Base Number Matches:1

HY5V28CLF-K 数据手册

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HY5V28C(L)F  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
4Mbit x 4banks x 8 I/O Synchronous DRAM  
Self refresh logic  
& timer  
Internal Row  
counter  
4Mx8 Bank3  
CLK  
Row  
Pre  
Decoders  
Row active  
4Mx8 Bank 2  
4Mx8 Bank 1  
CKE  
CS  
4Mx8 Bank 0  
DQ0  
DQ1  
RAS  
CAS  
WE  
Memory  
Cell  
Array  
refresh  
Column  
Active  
Column  
Pre  
Decoders  
DQM  
DQ6  
DQ7  
Y decoders  
Column Add  
Counter  
Bank Select  
A0  
A1  
Address  
Registers  
Burst  
Counter  
A11  
BA0  
BA1  
CAS Latency  
Pipe Line Control  
Mode Registers  
Data Out Control  
Rev. 0.1/Sep.01  
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