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HY5DS113222FM-36

更新时间： 2024-11-26 21:53:19

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HY5DS113222FM-36 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	144	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	275 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B144
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA144,12X12,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.3 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.05 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.63 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.1 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.75 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

HY5DS113222FM(P)

512M(16Mx32) GDDR SDRAM

HY5DS113222FM(P)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-

sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Oct. 2004

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