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HY58163211-8F

更新时间: 2024-11-24 20:00:11
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
75页 3736K
描述
Synchronous DRAM, 512KX32, 7ns, CMOS, PQFP100,

HY58163211-8F 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:QFP, QFP100,.7X.9Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83最长访问时间:7 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
端子数量:100字数:524288 words
字数代码:512000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP100,.7X.9
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.34 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

HY58163211-8F 数据手册

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