生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSSOP86,.46,20 | 针数: | 86 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.74 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G86 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 86 | 字数: | 2097152 words |
字数代码: | 2000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2MX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP86,.46,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.19 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V653220BTC-5 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM | |
HY57V653220BTC-55 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM | |
HY57V653220BTC-6 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM | |
HY57V653220BTC-6I | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM | |
HY57V653220BTC-7 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM | |
HY57V653220BTC7DR | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 | |
HY57V653220BTC-7I | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM | |
HY57V653220BTC-8 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM | |
HY57V653220BTC-I | ETC |
获取价格 |
2Mx32|3.3V|4K|5/55/6|SDR SDRAM - 64M | |
HY57V654010TC-10 | ETC |
获取价格 |
x4 SDRAM |