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HY57V643220DLT-6

更新时间: 2024-11-29 04:58:03
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海力士 - HYNIX 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
13页 219K
描述
4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM

HY57V643220DLT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数:86Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.88Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G86JESD-609代码:e0
长度:22.238 mm内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:86字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP86,.46,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.24 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V643220DLT-6 数据手册

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HY57V643220D(L/S)T(P) Series  
4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM  
Document Title  
4Bank x 512K x 32bits Synchronous DRAM  
Revision History  
Revision  
History  
No.  
Draft Date  
Remark  
0.1  
0.2  
Initial Draft  
May. 2004  
July 2004  
Preliminary  
Removed Preliminary  
1. Updated Output Load Capacitance for Access Time Measurement CL = 30pF  
in AC OPERATING TEST CONDITION  
2. Updated the tolerance zone of the leads and the description of the package  
type in PACKAGE DIMENSION  
0.3  
Sep. 2004  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.3 / Sep. 2004  
1

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