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HY57V643220DLT-7

更新时间: 2024-11-27 04:58:03
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海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 219K
描述
4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM

HY57V643220DLT-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP86,.46,20
针数:86Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.88访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):143 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G86
JESD-609代码:e0长度:22.238 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:86
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP86,.46,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.21 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY57V643220DLT-7 数据手册

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HY57V643220D(L/S)T(P) Series  
4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM  
Document Title  
4Bank x 512K x 32bits Synchronous DRAM  
Revision History  
Revision  
History  
No.  
Draft Date  
Remark  
0.1  
0.2  
Initial Draft  
May. 2004  
July 2004  
Preliminary  
Removed Preliminary  
1. Updated Output Load Capacitance for Access Time Measurement CL = 30pF  
in AC OPERATING TEST CONDITION  
2. Updated the tolerance zone of the leads and the description of the package  
type in PACKAGE DIMENSION  
0.3  
Sep. 2004  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 0.3 / Sep. 2004  
1

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暂无描述
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