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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.27 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HY57V28420BLT-P | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
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| HY57V28420BLT-S | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
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| HY57V28420BT | ETC | 32Mx4|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M |
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| HY57V28420BT-6 | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
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| HY57V28420BT-S | HYNIX | Synchronous DRAM, 32MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-54 |
获取价格 |
|
| HY57V28420HCLT | ETC | 32Mx4|3.3V|4K|6/K/H/8/P/S|SDR SDRAM - 128M |
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