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HY57V283220LTP-6

更新时间： 2024-09-25 04:58:03

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

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HY57V283220LTP-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP, TSSOP86,.46,20
针数：	86	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e6
长度：	22.238 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.194 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V283220LTP-6 数据手册

HY57V283220(L)T(P)/ HY5V22(L)F(P)

4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Remark

0.1

0.2

Defined Preliminary Specification

1) Modified FBGA Ball Configuration Typo.

2) Changed Functional Block Diagram from A10 to A11.

3) Changed VDD min from 3.0V to 3.135V.

4) Changed Cap. Value from C11, 3, 5 to 4pf & C12, 3.8 to 4pf.

5) Insert tAC2 Value.

6) Insdrt tRAS & CLK Value.

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Defined IDD Spec.

Delited Preliminary.

Changed IDD Spec.

133MHz Speed Added

Changed FBGA Package Size from 11x13 to 8x13.

1) Changed VDD min from 3.135V to 3.0V.

2) Changed VIL min from VSSQ-0.3V to -0.3V.

0.8

0.9

Modified of size erra. (Page15)

(Equation : 13.00 ± 10 -> 13.00 ± 0.10)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not assume

any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / July 2004

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