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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.49 |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 |
| JESD-609代码： | e6 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 50 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V161610D | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610D-I | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610DLTC-10P | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
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| HY57V161610DTC | ETC |
获取价格 |
1Mx16|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 16M |
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| HY57V161610DTC-10 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610DTC-10I | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610DTC-10P | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 |
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| HY57V161610DTC-15 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610DTC-5 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V161610DTC-55 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM |
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