生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP2, |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.82 |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
长度: | 20.968 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 50 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY57V161610ET-7I | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | |
HY57V161610ET-8 | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | |
HY57V161610ET-8I | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | |
HY57V161610ET-I | HYNIX |
获取价格 |
2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM | |
HY57V161610ETP-10 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, | |
HY57V161610ETP-10I | HYNIX |
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暂无描述 | |
HY57V161610ETP-15 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, | |
HY57V161610ETP-15I | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, | |
HY57V161610ETP-55 | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, | |
HY57V161610ETP-55I | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 1MX16, 5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |