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HY57V161610FTP-7I

更新时间: 2024-02-24 04:18:24
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 1120K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50

HY57V161610FTP-7I 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP50,.46,32
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.79访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):143 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
JESD-609代码:e6长度:20.968 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSOP50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY57V161610FTP-7I 数据手册

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16Mb Synchronous DRAM based on 512K x 2Bank x16 I/O  
Document Title  
2Bank x 512K x 16bits Synchronous DRAM  
Revision History  
Revision No.  
History  
Initial Draft  
Final Revision  
Draft Date  
Feb. 2006  
Apr. 2006  
Remark  
0.1  
1.0  
Preliminary  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for  
use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / Apr. 2006  
1

HY57V161610FTP-7I 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HY57V161610FTP-6 HYNIX

功能相似

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-
HY57V161610FTP-7 HYNIX

功能相似

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

与HY57V161610FTP-7I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY57V161610LTC-10 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, TSOP2
HY57V161610LTC-12 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, TSOP2
HY57V161610TC-10 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, TSOP2
HY57V161610TC-12 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, TSOP2
HY57V16161TC-10 ETC

获取价格

x16 SDRAM
HY57V16161TC-13 ETC

获取价格

x16 SDRAM
HY57V16161TC-8 ETC

获取价格

x16 SDRAM
HY57V164010ALTC-10 ETC

获取价格

x4 SDRAM
HY57V164010ALTC-12 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX4, 8.5ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44
HY57V164010ALTC-15 HYNIX

获取价格

Synchronous DRAM, 4MX4, 9ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44