Datasheet > HY57V161610DTC-I

HY57V161610DTC-I

更新时间： 2024-02-20 09:49:31

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
11页	122K
描述
1Mx16\|3.3V\|4K\|55/6/7/10\|SDR SDRAM - 16M

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY57V161610DTC-I 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.83	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e6	长度：	20.968 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP50,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V161610DTC-I 数据手册

HY57V161610D-I

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

THE Hynix HY57V161610D is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the Mobile applications

which require low power consumption and industrial temperature range. HY57V161610D is organized as 2banks of

524,288x16.

HY57V161610D is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge clock. All inputs and outputs are

synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high band-

width. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 1,2 or 3), the number of consecutive read or

write cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count

sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate

command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipeline

design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Auto refresh and self refresh

•

Single 3.0V to 3.6V power supply^Note1)

4096 refresh cycles / 64ms

All device pins are compatible with LVTTL interface

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst

- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst

Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks

JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm

of pin pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

Data mask function by UDQM/LDQM

Internal two banks operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Organization

Interface

Package

HY57V161610DTC-55I

HY57V161610DTC-6I

HY57V161610DTC-7I

HY57V161610DTC-10I

183MHz

166MHz

143MHz

100MHz

400mil

50pin TSOP II

2Banks x 512Kbits x 16

LVTTL

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied

Rev. 0.3/Mar. 02

12 3 4 5 6 7...11

下载PDF

与HY57V161610DTC-I相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY57V161610E	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610ET-10	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610ET-10I	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610ET-15	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610ET-15I	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格
HY57V161610ET-5	HYNIX	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V161610DTC-I

HY57V161610DTC-I 技术参数

HY57V161610DTC-I 数据手册

与HY57V161610DTC-I相关器件

与HY57V161610DTC-I相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V161610DTC-I

HY57V161610DTC-I 技术参数

HY57V161610DTC-I 数据手册

与HY57V161610DTC-I相关器件

与HY57V161610DTC-I相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？