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HY57V161610DTC-6

更新时间： 2024-01-17 00:33:30

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海力士 - HYNIX		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

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HY57V161610DTC-6 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.89	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
长度：	20.968 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	50	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HY57V161610DTC-6 数据手册

HY57V161610D

2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

THE Hyundai HY57V161610D is a 16,777,216-bits CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory and graphic

applications which require large memory density and high bandwidth. HY57V161610D is organized as 2banks of 524,288x16.

HY57V161610D is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge clock. All inputs and outputs are synchronized

with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output

voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 1,2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initi-

ated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A

burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a

new burst read or write command on any cycle. (This pipeline design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Auto refresh and self refresh

•

Single 3.0V to 3.6V power supply

4096 refresh cycles / 64ms

All device pins are compatible with LVTTL interface

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 and Full Page for Sequence Burst

- 1, 2, 4 and 8 for Interleave Burst

Programmable CAS Latency ; 1, 2, 3 Clocks

JEDEC standard 400mil 50pin TSOP-II with 0.8mm of pin

pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of system

clock

•

Data mask function by UDQM/LDQM

Internal two banks operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Organization

Interface

Package

HY57V161610DTC-5

HY57V161610DTC-55

HY57V161610DTC-6

HY57V161610DTC-7

HY57V161610DTC-8

HY57V161610DTC-10

HY57V161610DTC-15

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

66MHz

400mil

50pin TSOP II

2Banks x 512Kbits x 16

LVTTL

Note :

1. VDD(min) of HY57V161610DTC-5/55 is 3.15V

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied

Rev. 4.0/Aug. 02

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V161610DTC-6I	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-7	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-7I	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-8	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610DTC-I	ETC	获取价格	1Mx16\|3.3V\|4K\|55/6/7/10\|SDR SDRAM - 16M
HY57V161610E	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-10	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-10I	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-15	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM
HY57V161610ET-15I	HYNIX	获取价格	2 Banks x 512K x 16 Bit Synchronous DRAM

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