Datasheet > HY51V65400LRC-50

HY51V65400LRC-50

更新时间： 2023-02-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	264K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY51V65400LRC-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e6	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65400LTC60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V65400LTC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65400LTC70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V65400LTC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65400RC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65400SLJC60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V65400SLJC70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V65400SLRC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65400SLTC60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY51V65400SLTC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32