生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2-R, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 70 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e6 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 67108864 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 16777216 words | 字数代码: | 16000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2-R | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY51V65400SLTC60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY51V65400SLTC-60 | HYNIX |
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Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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HY51V65400SLTC70 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
![]() |
HY51V65400TC60 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
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HY51V65400TC-60 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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HY51V65400TC70 | ETC |
获取价格 |
x4 Fast Page Mode DRAM |
![]() |
HY51V65400TC-70 | HYNIX |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
![]() |
HY51V65403HG(HGL) | ETC |
获取价格 |
16Mx4|3.3V|4K|45|FP/EDO DRAM - 64M |
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HY51V65403HGLJ-5 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |
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HY51V65403HGLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 |
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