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HY51V65403HGLT-6

更新时间： 2023-02-26 14:57:55

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	346K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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HY51V65403HGLT-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.31
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e6	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65403HGT-45	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65404AJC50	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404AJC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HY51V65404AJC60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404ALJC50	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404ALJC60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404ALJC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HY51V65404ALTC50	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404ALTC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
HY51V65404ALTC60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM