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HY51V65404LJC-60

更新时间： 2023-02-26 16:17:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	272K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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HY51V65404LJC-60 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.33
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
长度：	20.96 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.76 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY51V65404LRC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65404LTC60	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404LTC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65404LTC70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
HY51V65404LTC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
HY51V65404RC-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65404RC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32
HY51V65404SLJC-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HY51V65404SLJC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
HY51V65404SLRC-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 16MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-32