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HY51V18165BRC-60

更新时间: 2024-11-04 20:29:39
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 388K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-50/44

HY51V18165BRC-60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-R, TSOP44/50,.46,32针数:50
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSOP44/50,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.19 mA
最大供电电压 (Vsup):3.47 V最小供电电压 (Vsup):3.13 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HY51V18165BRC-60 数据手册

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