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HY51V4100BLJ-80

更新时间: 2024-11-04 20:15:11
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 405K
描述
Fast Page DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

HY51V4100BLJ-80 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34针数:20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0长度:17.15 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.76 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.00015 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

HY51V4100BLJ-80 数据手册

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