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HY51C1002J-85

更新时间: 2024-11-02 20:36:03
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 824K
描述
Static Column DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDSO20

HY51C1002J-85 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:85 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大待机电流:0.003 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.095 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HY51C1002J-85 数据手册

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