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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STATIC COLUMN DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 最大待机电流： | 0.0015 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.07 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY51C1002LS-85 | HYNIX |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDIP18 |
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| HY51C1002S-10 | HYNIX |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HY51C1002S-12 | HYNIX |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PDIP18 |
|
| HY51C1002S-85 | HYNIX |
获取价格 |
Static Column DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDIP18 |
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| HY51C256LS10 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| HY51C256LS12 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY51C256LS15 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY51C256LS20 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
|
| HY51C256S10 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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| HY51C256S12 | ETC |
获取价格 |
x1 Fast Page Mode DRAM |
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