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HY514800BJC-80

更新时间： 2024-11-02 20:22:07

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海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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HY514800BJC-80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ28,.44	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.73
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.42 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514800BLJC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY514800BLJC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY514800BLJC-80	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
HY514800BLRC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
HY514800BLRC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
HY514800BLRC-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
HY514800BLTC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
HY514800BLTC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
HY514800BLTC-80	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY514800BRC-60	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM