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HY514800BLTC-60

更新时间： 2024-11-02 20:22:07

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	402K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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HY514800BLTC-60 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2, TSOP28,.46	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	60 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP28,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.00015 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514800BLTC-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
HY514800BLTC-80	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY514800BRC-60	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
HY514800BRC-70	HYNIX	获取价格	暂无描述
HY514800BRC-80	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
HY514800BSLJC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY514800BSLJC-70	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM
HY514800BSLJC-80	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
HY514800BSLRC-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28
HY514800BSLRC-70	ETC	获取价格	x8 Fast Page Mode DRAM