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HY29LV160TF-12E PDF预览

HY29LV160TF-12E

更新时间： 2025-07-28 13:00:27
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
48页 516K
描述
Flash, 1MX16, 120ns, PBGA48, 8 X 9 MM, FBGA-48

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HY29LV160TF-12E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：8 X 9 MM, FBGA-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
Is Samacsys：N最长访问时间：120 ns
备用内存宽度：8启动块：TOP
JESD-30 代码：R-PBGA-B48JESD-609代码：e1
长度：9 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

HY29LV160TF-12E 数据手册

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HY29LV160  
16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory  
KEY FEATURES  
n Single Power Supply Operation  
n 100,000 Write Cycles per Sector Minimum  
– Read, program and erase operations from  
2.7 to 3.6 volts  
– Ideal for battery-powered applications  
n High Performance  
n Data# Polling and Toggle Bits  
– Provide software confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
– 70, 80, 90 and 120 ns access time  
versions  
n Ultra-low Power Consumption (Typical  
Values At 5 Mhz)  
n Ready/Busy# Pin  
– Provides hardware confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
– Automatic sleep mode current: 1 µA  
– Standby mode current: 1 µA  
– Read current: 9 mA  
n Hardware Reset Pin (RESET#) Resets the  
Device to Reading Array Data  
n Compliant With Common Flash Memory  
Interface (CFI) Specification  
– Program/erase current: 20 mA  
n Flexible Sector Architecture:  
– One 16 KB, two 8 KB, one 32 KB and  
thirty-one 64 KB sectors in byte mode  
– One 8 KW, two 4 KW, one 16 KW and  
thirty-one 32 KW sectors in word mode  
– Top or bottom boot block configurations  
available  
– Flash device parameters stored directly  
on the device  
– Allows software driver to identify and use  
a variety of different current and future  
Flash products  
n Compatible With JEDEC standards  
– Pinout and software compatible with  
single-power supply Flash devices  
– Superior inadvertent write protection  
n Space Efficient Packaging  
– 48-pin TSOP and 48-ball FBGA packages  
n Sector Protection  
– Allows locking of a sector or sectors to  
prevent program or erase operations  
within that sector  
– Sectors lockable in-system or via  
programming equipment  
– Temporary Sector Unprotect allows  
changes in locked sectors (requires high  
voltage on RESET# pin)  
LOGIC DIAGRAM  
n Fast Program and Erase Times  
– Sector erase time: 0.25 sec typical for  
each sector  
20  
8
7
– Chip erase time: 8 sec typical  
– Byte program time: 9 µs typical  
n Unlock Bypass Program Command  
– Reduces programming time when issuing  
multiple program command sequences  
n Automatic Erase Algorithm Preprograms  
and Erases Any Combination of Sectors  
or the Entire Chip  
n Erase Suspend/Erase Resume  
– Suspends an erase operation to allow  
reading data from, or programming data  
to, a sector that is not being erased  
– Erase Resume can then be invoked to  
complete suspended erasure  
A[19:0]  
CE#  
DQ[7:0]  
DQ[14:8]  
OE#  
DQ15/A-1  
RY/BY#  
W E #  
RESET#  
BYTE#  
n Automatic Program Algorithm Writes and  
Verifies Data at Specified Addresses  
Preliminary  
Revision 1.2, May 2001  
1234567...48

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY29LV160TF-12I HYNIX

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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
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