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Datasheet > 暂无类别数据> HY29LV160TT-12
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HY29LV160TT-12

更新时间： 2024-02-21 15:03:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 闪存
页数 文件大小 规格书
48页 516K
描述
16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory

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HY29LV160TT-12 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EEPROM CARD内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：1,2,1,31
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

HY29LV160TT-12 数据手册

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HY29LV160  
16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory  
KEY FEATURES  
n Single Power Supply Operation  
n 100,000 Write Cycles per Sector Minimum  
– Read, program and erase operations from  
2.7 to 3.6 volts  
– Ideal for battery-powered applications  
n High Performance  
n Data# Polling and Toggle Bits  
– Provide software confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
– 70, 80, 90 and 120 ns access time  
versions  
n Ultra-low Power Consumption (Typical  
Values At 5 Mhz)  
n Ready/Busy# Pin  
– Provides hardware confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
– Automatic sleep mode current: 1 µA  
– Standby mode current: 1 µA  
– Read current: 9 mA  
n Hardware Reset Pin (RESET#) Resets the  
Device to Reading Array Data  
n Compliant With Common Flash Memory  
Interface (CFI) Specification  
– Program/erase current: 20 mA  
n Flexible Sector Architecture:  
– One 16 KB, two 8 KB, one 32 KB and  
thirty-one 64 KB sectors in byte mode  
– One 8 KW, two 4 KW, one 16 KW and  
thirty-one 32 KW sectors in word mode  
– Top or bottom boot block configurations  
available  
– Flash device parameters stored directly  
on the device  
– Allows software driver to identify and use  
a variety of different current and future  
Flash products  
n Compatible With JEDEC standards  
– Pinout and software compatible with  
single-power supply Flash devices  
– Superior inadvertent write protection  
n Space Efficient Packaging  
– 48-pin TSOP and 48-ball FBGA packages  
n Sector Protection  
– Allows locking of a sector or sectors to  
prevent program or erase operations  
within that sector  
– Sectors lockable in-system or via  
programming equipment  
– Temporary Sector Unprotect allows  
changes in locked sectors (requires high  
voltage on RESET# pin)  
LOGIC DIAGRAM  
n Fast Program and Erase Times  
– Sector erase time: 0.25 sec typical for  
each sector  
20  
8
7
– Chip erase time: 8 sec typical  
– Byte program time: 9 µs typical  
n Unlock Bypass Program Command  
– Reduces programming time when issuing  
multiple program command sequences  
n Automatic Erase Algorithm Preprograms  
and Erases Any Combination of Sectors  
or the Entire Chip  
n Erase Suspend/Erase Resume  
– Suspends an erase operation to allow  
reading data from, or programming data  
to, a sector that is not being erased  
– Erase Resume can then be invoked to  
complete suspended erasure  
A[19:0]  
CE#  
DQ[7:0]  
DQ[14:8]  
OE#  
DQ15/A-1  
RY/BY#  
W E #  
RESET#  
BYTE#  
n Automatic Program Algorithm Writes and  
Verifies Data at Specified Addresses  
Preliminary  
Revision 1.2, May 2001  
1234567...48

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与HY29LV160TT-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HY29LV160TT-120 HYNIX

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 		Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, TSOP-48
HY29LV160TT-120I HYNIX

获取价格

 		Flash, 1MX16, 120ns, PDSO48, TSOP-48
HY29LV160TT-12E HYNIX

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 		暂无描述
HY29LV160TT-12I HYNIX

获取价格

 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-12V HYNIX

获取价格

 		EEPROM Card, 1MX16, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO48, TSOP-48
HY29LV160TT-70 HYNIX

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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-70I HYNIX

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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80 HYNIX

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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory
HY29LV160TT-80E HYNIX

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 		Flash, 1MX16, 80ns, PDSO48, TSOP-48
HY29LV160TT-80I HYNIX

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 		16 Mbit (2M x 8/1M x 16) Low Voltage Flash Memory

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