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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8536.69.40.40 | 风险等级： | 5.67 |
| 端子和端子排类型： | BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY19009000J0G | AMPHENOL |
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Barrier Strip Terminal Block |
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| HY1904B | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1904C2 | HUAYI |
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此器件为40V、5.1mΩ、PDFN5*6封装产品，采用Trench流片工艺，可满足如锂电 |
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| HY1904D | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1904M | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1904P | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1904S | HUAYI |
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此器件为 N 沟道、40V耐压、5.3mΩ内阻、SOP8L封装产品，芯片采用Trench工 |
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| HY1904U | HUAYI |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1904V | HUAYI |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| HY1906 | HUAYI |
获取价格 |
Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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