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HSU276

更新时间: 2024-02-21 19:46:22
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日立 - HITACHI 肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 27K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Mixer

HSU276 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.29
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大二极管电容:0.85 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HSU276 数据手册

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HSU276  
Package Dimensions  
Unit : mm  
Cathode Mark  
2
1.7±0.15  
1
2.5±0.15  
1. Cathode  
2. Anode  
Hitachi Code  
JEDECCode  
EIAJCode  
URP  
Weight(g)  
0.004  
4

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